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12寸立式高温氧化退火炉

12寸立式高温氧化退火炉

满足12寸晶圆指标，用于在硅衬底上形成洁净、致密的SiO2膜层；应用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作为隔离层、缓冲层、掩蔽层、牺牲层等使用。

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立式低温退火炉

立式低温退火炉

在惰性气体保护下实施精准热处理，消除晶圆界面晶格缺陷，优化材料电学特性，著提升器件可靠性与量产良率。

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VCSEL湿氧炉

VCSEL湿氧炉

专为VCSEL器件开发湿氧氧化工艺，构建致密光学限制层与电学绝缘结构；同步兼容通用晶圆表面钝化处理，满足光电与半导体器件的双重工艺需求。

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立式高温氧化退火炉

立式高温氧化退火炉

用于在硅衬底上形成洁净、致密的SiO2膜层；应用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作为隔离层、缓冲层、掩蔽层、牺牲层等使用。

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