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低温氧化/退火炉

低温氧化/退火炉

在惰性气体保护下实施精准热处理，消除晶圆界面晶格缺陷与金属杂质，优化材料电学特性，显著提升器件可靠性与量产良率。

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VCSEL湿氧炉

VCSEL湿氧炉

专为VCSEL器件开发湿氧氧化工艺，构建致密光学限制层与电学绝缘结构；同步兼容通用晶圆表面钝化处理，满足光电与半导体器件的双重工艺需求。

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高温氧化炉

高温氧化炉

通过高温氧化反应在晶圆表面生成高质量二氧化硅膜层，作为器件隔离介质、离子注入掩蔽层及表面钝化保护结构。

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立式LPCVD

立式LPCVD

采用低压化学气相沉积技术，在基片表面生长氮化硅、掺杂多晶硅等功能薄膜，为器件提供钝化封装与介质隔离解决方案。

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