12寸立式高温氧化退火炉
产品概述
满足12寸晶圆指标，用于在硅衬底上形成洁净、致密的SiO2膜层；应用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作为隔离层、缓冲层、掩蔽层、牺牲层等使用。
产品特点
高洁净度腔体环境：采用专业材料与设计，保障氧化膜制备过程的纯净度。
大产能连续作业能力：支持批量晶圆处理，适配集成电路等领域的规模化生产。
高稳定性工艺输出：设备运行可靠，确保氧化膜性能均匀一致。
技术指标
1、硅片尺寸：12寸；
2、装片量：≥125片/舟；
3、恒温区长度：≥850mm；
4、温度均匀性：±0.5℃；
5、膜厚均匀性（WIW/WTW/RTR）：≤2%
应用场景
适用材料：12 英寸及以下晶圆。
适用工艺：高温氧化工艺（900℃-1100℃），用于制备氧化膜（如离子注入阻挡层、绝缘栅材料）。
适用领域：集成电路制造、器件保护层制备。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
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