VCSEL湿氧炉
产品概述
专为VCSEL器件开发湿氧氧化工艺，构建致密光学限制层与电学绝缘结构；同步兼容通用晶圆表面钝化处理，满足光电与半导体器件的双重工艺需求。
产品特点
温湿度协同精准控制：在中低温环境中实现湿度精确调节，确保 VCSEL 器件氧化层结构致密。
高成品率工艺保障：通过稳定的温控与工艺设计，提升器件电学绝缘性与光场限制效果。
高可靠性系统设计：设备运行稳定，满足光电器件制备的精密工艺要求。
技术指标
晶圆尺寸：6英寸
温度范围：300°C-500°C
恒温区长度：250mm
装载片量：250片/批
应用场景
适用材料：6 英寸及以下晶圆（如砷化镓）。
适用工艺：中低温湿氧氧化工艺（300℃-500℃），用于 VCSEL 器件氧化层制备。
适用领域：光电器件（如垂直腔面发射激光器）制造。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
