高温氧化炉
产品概述
通过高温氧化反应在晶圆表面生成高质量二氧化硅膜层，作为器件隔离介质、离子注入掩蔽层及表面钝化保护结构。
产品特点
高洁净度腔体环境：采用专业材料与设计，保障氧化膜制备过程的纯净度。
大产能连续作业能力：支持批量晶圆处理，适配集成电路等领域的规模化生产。
高稳定性工艺输出：设备运行可靠，确保氧化膜性能均匀一致。
技术指标
晶圆尺寸：8英寸(兼容6英寸)
温度范围：800°C-1200°C
恒温区长度：860mm
装载片量：150片/批
温度均匀性：±0.5°C
应用场景
适用材料：8 英寸及以下晶圆。
适用工艺：高温氧化工艺（800℃-1200℃），用于制备氧化膜（如离子注入阻挡层、绝缘栅材料）。
适用领域：集成电路制造、器件保护层制备。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
