立式LPCVD
产品概述
采用低压化学气相沉积技术，在基片表面生长氮化硅、掺杂多晶硅等功能薄膜，为器件提供钝化封装与介质隔离解决方案。
产品特点
薄膜均匀性优化设计：通过工艺参数调控，实现氮化硅、氧化硅等薄膜的均匀沉积。
高洁净工艺环境构建：腔体设计满足半导体薄膜沉积的高纯度要求。
自动化生产集成：设备适配智能化产线，提升薄膜制备效率与一致性。
技术指标
晶圆尺寸：8英寸(兼容6英寸)
温度范围：500°C-800°C
恒温区长度：860mm
装载片量：150片/批
温度均匀性：±1°C
应用场景
适用材料：8 英寸及以下晶圆。
适用工艺：低压化学气相沉积（LPCVD），用于沉积氮化硅、氧化硅、多晶硅等薄膜。
适用领域：半导体器件薄膜制备、集成电路工艺。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
