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提供从器件研发到批量生产的全流程装备解决方案
低温氧化/退火炉
在惰性气体保护下实施精准热处理，消除晶圆界面晶格缺陷与金属杂质，优化材料电学特性，显著提升器件可靠性与量产良率。
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VCSEL湿氧炉
专为VCSEL器件开发湿氧氧化工艺，构建致密光学限制层与电学绝缘结构；同步兼容通用晶圆表面钝化处理，满足光电与半导体器件的双重工艺需求。
高温氧化炉
通过高温氧化反应在晶圆表面生成高质量二氧化硅膜层，作为器件隔离介质、离子注入掩蔽层及表面钝化保护结构。
立式LPCVD
采用低压化学气相沉积技术，在基片表面生长氮化硅、掺杂多晶硅等功能薄膜，为器件提供钝化封装与介质隔离解决方案。
SiC高温激活炉
面向碳化硅功率器件定制，通过超高温退火修复离子注入晶格损伤并激活掺杂杂质，优化车规级器件的电学性能。
质子交换炉
基于双温区协同机制，在铌酸锂等光学材料中实现质子交换反应，形成低损耗集成光波导结构，支撑高速光子器件制造
