低温氧化/退火炉
产品概述
低温条件下下实施精准热处理，消除晶圆界面晶格缺陷与金属杂质，或形成起到绝缘、保护、介质隔离等作用的氧化层。以优化材料电学特性，显著提升器件可靠性与量产良率。
产品特点
高精度湿度（氧化）温度控制：采用专业温控系统，精准调控中低温区间，有效消除硅片界面缺陷，确保工艺过程的均匀性和稳定性。
高成品率工艺保障：通过稳定的温控与工艺设计，提升器件电学绝缘性与光场限制效果。
先进颗粒污染防控：搭配高效净化技术，减少工艺过程中的颗粒干扰，保障硅片界面质量。
高可靠性系统设计：设备运行稳定，满足光电器件制备的精密工艺要求。
规模化产能设计：单批次处理能力突出，适配科研与批量生产的效率需求。
技术指标
晶圆尺寸：8英寸(兼容6英寸)
温度范围：250°C-500°C
恒温区长度：860mm
装载片量：150片/批
适用材料：铌酸锂、硅等
应用场景
适用材料：硅、铌酸锂、氧化铝等半导体基片。
适用工艺：中低温氧化/退火工艺（250℃-500℃），用于消除晶格缺陷、优化界面质量或高质量氧化层制备。
适用领域：集成电路、光电器件、MEMS。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
