SiC高温激活炉
产品概述
面向碳化硅功率器件定制，通过超高温退火修复离子注入晶格损伤并激活掺杂杂质，优化车规级器件的电学性能。
产品特点
无金属热场创新设计：采用特殊材料构建热场，适配 SiC 高温工艺需求。
长寿命加热系统：设备关键部件耐极端温度，保障高温退火工艺的持续性。
热场材料特殊处理：优化热场性能，满足 SiC 离子注入后激活等高精度工艺。
技术指标
晶圆尺寸：6英寸(兼容4英寸)
温度范围：1000°C-1900°C
恒温区长度：250mm
装载片量：50片/批
控温精度： ≤±1°C
应用场景
适用材料：6 英寸及以下 SiC 晶圆。
适用工艺：高温激活退火（1000℃-1900℃）、沟槽平滑工艺。
适用领域：第三代半导体（SiC）器件制造。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
