卧式LPCVD
产品概述
通过低压化学气相沉积技术在基片表面反应生成氮化硅、掺杂多晶硅等固体薄膜，满足器件介质封装与钝化层的大产能沉积需求。
产品特点
高精度温度协同控制：采用专业温控系统，实现低压沉积环境下的温度精准调控，保障薄膜沉积工艺的稳定性。
规模化产能设计：支持多工艺管并行作业，可满足大批量晶圆薄膜沉积的生产需求，显著提升产能效率。
薄膜均匀性优化工艺：通过气流场与温度场的协同设计，确保确保薄膜均匀性适配半导体高精度要求。
技术指标
晶圆尺寸： 8英寸及以下
温度范围：500°C-800°C
工艺管数量：1-4管/台
恒温区长度：300- 1000mm可定制
极限真空： <3Pa
应用场景
适用材料：8 英寸及以下晶圆、化合物半导体。
适用工艺：低压化学气相沉积（LPCVD），用于沉积氮化硅、氧化硅等薄膜。
适用领域：半导体薄膜制备、集成电路工艺。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
