卧式氧化扩散退火炉
产品概述
集成氧化、扩散、退火多功能工艺，支持硅基及宽禁带半导体材料的掺杂调控、界面优化与结构成型，服务晶圆量产核心制程。
产品特点
多工艺组合灵活配置：支持氧化、扩散、退火等多种工艺切换，适配多样化需求。
成熟稳定的设备架构：经过市场验证的设计，保障长时间可靠运行。
高可靠性工艺输出：满足半导体材料电学特性调控与器件结构制备需求。
技术指标
晶圆尺寸： 8英寸及以下
温度范围：400°C-1200°C(视具体工艺选择)
工艺管数量：1-4管/台
恒温区长度：300-1000mm可定制
适用材料： 硅、碳化硅等
控温精度：≤±0.5℃（800℃以上），≤±1℃（800℃以下）。
单点温度稳定性：≤±1℃/24h（800℃）
最大升温速率：≥15℃/min；
产量：25-150片/管（不含陪片）
设备总高度：＜3m(4管）
DCE恒温供气系统：炉管具备DCE自清洗功能，能够在工艺前后对炉管进行清洗，减少颗粒和金属等杂质影响；DCE系统具有进气压力超压保护功能、源瓶超压保护功能、源温控制器保持DCE瓶源恒温
源温控制器：温度范围:10°C~40°C
温度精度：±0.5°C
氧化工艺指标：片内厚度均匀性≤3%，片间均匀性≤3%，批次间均匀性≤3%
应用场景
适用材料：硅、碳化硅等半导体材料。
适用工艺：高温氧化（形成氧化膜）、热扩散（杂质掺入）、退火（消除晶格缺陷）。
适用领域：集成电路器件结构制备、半导体材料电学特性调控。
产品类别
工业版
关键词
半导体装备
