干法刻蚀 反应离子刻蚀机(RIE)
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干法刻蚀 反应离子刻蚀机(RIE)



产品概述

基于射频放电原理的干法刻蚀设备,通过物理轰击与化学反应结合实现材料去除,适用于多种半导体材料刻蚀。

 

产品特点

数字化智能控制:工艺过程全数字化自动控制,操作简便易上手。

恒压自动控制:反应压力恒定自动调节,保障工艺重复性与稳定性。

可配置 load lock 上料腔:减少大气污染,提升上料效率与腔体真空保持能力。

 

技术指标

晶圆尺寸

8英寸及以下

刻蚀速率

0.1-4um/min

(视具体材料与工艺)

均匀性

+5%

(MAX-MIN)2*AVG

基片台冷却

水冷

 

应用场景

适用材料:硅、二氧化硅、氮化硅等;

核心工艺:晶体管栅极刻蚀、MEMS 结构加工、接触孔刻蚀;

应用领域:集成电路制造、微机电系统、光电子器件。

产品类别

科研版

关键词

半导体装备

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