干法刻蚀 离子束刻蚀机(IBE)
产品概述
采用离子束物理刻蚀技术，适用于难刻蚀材料的高精度加工，尤其在金属、陶瓷等硬脆材料处理上具有独特优势。
产品特点
双模式工件台：单片式（角度 -90至90°可调）与多片式（圆周旋转），适配科研与量产需求。
水冷低温刻蚀：防止晶片热损伤，适配量子芯片等敏感材料的无损伤加工。
技术指标
工件台单片式：6英寸及以下 多片式：2"方片x18 4"圆片x4 |
离子源考夫曼离子源(选配射频离子源) 离子束能量：0eV~1000eV连续可调 束流：最大200mA(圆形) |
均匀性+5% (MAX-MIN)2*AVG |
基片台冷却水冷/氦背冷 |
应用场景
适用材料：金属、陶瓷、化合物半导体、石英等；
核心工艺：硬脆材料刻蚀、纳米结构加工、离子铣削；
应用领域：光电子器件、量子芯片、微纳光学元件。
产品类别
科研版
关键词
半导体装备
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