核心摘要

本周存储再涨30%，光芯片却集体跌停，半导体分化加剧。盛美在手订单170亿，捷造、嘉盛却破产，国产设备洗牌加速。玻璃基板与先进封装持续升温，第四代半导体材料取得突破。

一、宏观趋势

Q2半导体营收破4250亿：Omdia数据显示，2026年二季度全球半导体营收环比增长31.4%，上半年累计达7520亿美元，AI需求与存储器涨价为核心驱动力。

晶圆代工2.0单季966亿美元：Counterpoint数据，Q2晶圆代工2.0营收966亿美元（同比+25%，环比+11%）。

存储再涨价30%：四季度DRAM合约价或涨约两成，NAND涨幅或达三成，供需缺口仍为负值，卖方继续掌握主动。

俄罗斯拟入股中国中小晶圆厂：俄罗斯境内最先进制程仍停留在90nm。OMK正考虑收购多家中国中小半导体工厂股份，通过协议安排让产线专门为俄需求服务。

FCC禁令升级：10月13日起，由Covered List实体生产的逻辑承载硬件组件被明确限制，使用这些组件的设备将无法获得新FCC授权。

二、头部/终端企业动态

长鑫科技拟349亿元加码研发与测试：拟使用超募资金180亿元投建两个项目——总投资241亿元技术研发项目；子公司存储器晶圆后道测试基地二期总投资108亿元。

全球存储大厂启动新一轮扩产：三星升级西安厂NAND并提高平泽DRAM/HBM产能；SK海力士推进清州M15X，重启大连二厂扩产；美光爱达荷州新厂预计2027年中产出首批DRAM。长鑫产能预计2026年底提至约35万片/月。

Solidigm考虑赴美IPO：SK海力士旗下Solidigm目标估值1500亿美元，其QLC企业级SSD单盘最高容量122.88TB，CoreWeave已签多年期协议锁定供应。

英特尔继续推进Terafab合作：陈立武表示英特尔仍将继续与马斯克合作推进Terafab项目。

马斯克突然“砍内存”：特斯拉A15/A16芯片内存配置大幅下调，优先保障Optimus机器人量产。美光CFO指出，人形机器人将成为内存需求新引擎，即便AI泡沫破裂，内存价格亦难回落。

奕斯伟计算登陆港交所：10月9日上市，募资超25亿港元，开盘市值一度突破346亿港元，“RISCV第一股”诞生，背后是京东方创始人王东升。

兆易创新上调长鑫DRAM代工采购额度：2026年度关联交易预计额度由57.11亿元上调至78.54亿元，预计2027年1至4月额度为44.11亿元。

腾讯与甲骨文签70亿美元算力租赁协议：未来五年通过甲骨文在东南亚多个数据中心获得约十万颗先进AI芯片服务。

华为麒麟9050Pro曝光：采用两层Die垂直堆叠，通过“逻辑折叠”技术将运算逻辑与SRAM、缓存分散到不同硅层。

日系MLCC双雄联手：TDK与太阳诱电启动业务联盟洽谈，联合开发AI应用MLCC和电感器。村田、三星电机、太阳诱电均已涨价，AI服务器用大容量MLCC涨幅普遍达15%35%。

三、晶圆与制造

芯联集成前三季度扭亏为盈：预计营收约77.66亿元（+43.23%），归母净利润约6.81亿元。受AI等新兴应用驱动，叠加盈利规模效应显现。

粤芯半导体IPO发行收官：发行价12.01元/股，有效申购倍数约2360倍。募投落地将扩充12英寸产能，覆盖硅光工艺、存算一体芯片、MCU等前沿方向。

新加坡首个12英寸晶圆厂启用：VSMC由世界先进与恩智浦共同投资，2029年全面达产后月产能约4.4万片12英寸晶圆，锁定40nm至130nm。

光谷高端微电子器件产业园开建：总投资约12亿元，产品可用于消费、汽车电子、高端工业装备、医疗器械、物联网感知等领域。

合肥芯谷6英寸GaAs产线引入光刻机：总投资约11亿元，建成后预计年产芯片3000万颗、组件20000套。

奕斯伟武汉12英寸硅片基地冲刺投产：首批设备预计10月内搬入，计划2027年Q2投产。总投资125亿元，规划月产50万片12英寸硅片，达产后预计年产值超35亿元。

四、半导体设备与材料

盛美上海在手订单170.73亿元：在手订单较上年同期增加88.20%，维持全年营收82亿至88亿元的业绩预告。

东方晶源电子束量检测装备出机破100台：已形成CDSEM、EBI、DRSEM、HVSEM四款系列化产品，正冲刺科创板。

日系光刻胶三巨头全球调价：10月1日起全品类新订单基础涨幅约15%，高端ArF系列上调16%22%。国产光刻胶验证周期已由1至2年缩短至6至12个月。

吾拾微完成亿元A轮融资：重点投入2.5D/3D先进封装晶圆键合设备及化合物半导体光芯片专用键合设备。

半导体材料涨价：中电晶华硅外延材料价格上调15%20%，南京国盛电子、南京盛鑫半导体同步执行新价格体系。

晶合集成22亿增资安徽晶镁：晶合持股由16.67%增至32.16%，安徽晶镁专注28nm及以上光罩。

形程新材登陆港交所：形成“A+H”双平台，2025年半导体及TFTLCD光刻胶收入均居本土首位，ArF光刻胶营收增长超800%。

花王成半导体隐形冠军：封装清洁剂全球市占率约60%，2025财年该业务销售额增长约40%。

捷造科技进入破产清算：主攻真空薄膜沉积设备，2026年起被执行金额超2450万元。

上海嘉盛半导体宣告破产：负债总额约1853.94万元，资不抵债超230万元，专利等无形资产多次拍卖无人接盘。

五、光通信与光互连

光芯片板块集体暴跌：10月8日源杰科技、长光华芯双双20CM跌停，东山精密跌停。导火索为两大未证实传闻：FCC可能从3.2T光模块分阶段限制（设65%美国价值门槛，约2029年）；1.6T光芯片降价传闻。分析认为CPO与硅光长期产业逻辑未逆转。

先导芯光120亿双线通线：建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台，已承接海外头部客户下一代单模400G光互连预研订单。

Tower豪掷40亿美元扩产日本硅光：计划扩充300mm硅光、硅锗及先进光学封装产能，日本政府提供最高约1600亿日元补贴，2027年Q4达量产准备，日本300mm等效产能目标约4.5万片/月。

罗博特科登陆港交所：硅光设备全球第一，2025年全球市占率约20.5%，在手订单约33.86亿元。

英伟达联手英特尔投资CScale：CScale完成1.45亿美元融资，专注大规模AI数据中心光互连，计划2028年前交付芯片。

JEDEC发布硅光子新标准JESD264：定义硅光子器件的认证测试和可靠性要求，超20家公司参与制定。

苏州易缆微完成数亿元A+++轮融资：专注硅光异质集成薄膜铌酸锂光子芯片，已建成8英寸晶圆级工艺中试线。

宇特光电北交所上市：发行价13.75元/股，首日涨超400%，产品覆盖400G/800G/1.6T/3.2T全系列。

钧恒科技3亿扩产武汉光模块：新增年产200万支高速率光模块产线，武汉区域总产能达350万支。

海创光电转战北交所：2026上半年营收4.85亿元（+65.70%），光通讯业务收入1.93亿元（+347.51%），覆盖OCS光交换机用环行器、准直器阵列等。

六、玻璃基板与先进封装

英伟达评估玻璃基板方案：与德国设备商SCHMID等合作，最快2028年前导入。已与康宁达成最高27亿美元合作，并与台积电共同定义CoPoS玻璃面板封装技术，目标20282029年量产。

星辰技术先进封装中试平台二期通线：国内首条3D先进封装量产线，一期二期合计投资超70亿元。产业化基地总投资250亿元，计划2028年内满产，月产8万片。今年5月完成近50亿元A轮融资。

南亚科技布局晶圆级封测：将在屏东科学园区投资设立3D晶圆封装测试厂，导入TSV、晶圆堆叠等3DIC技术，瞄准“类HBM”内存解决方案。

京东方玻璃基封装载板中试线全流程打通：24层大尺寸样品已送客户验证，目标2027年Q1满足量产投资决策条件。

长电科技高端2.5D封装项目签约无锡：聚焦2.5D硅转接板先进封装技术，主攻AI芯片、HPC等高附加值赛道。

海目星拟定增22.63亿元：重点突破玻璃桥、玻璃3D光波导、金刚石散热材料等前沿技术。

JNTC玻璃基板铜填充技术突破：将铜填孔时间从半天至一天缩短至分钟级，已通过美国半导体客户验证，计划2027年起量产玻璃芯基板，业界猜测客户为博通。

三星电机启动史上最大资本开支：至2028年5月投入6.78万亿韩元扩建FCBGA封装基板产能，全面量产定于2028年9月。FCBGA交期已拉长至4856周，客户以预付款+35年长约锁定产能。

广州广芯先进封装基板项目动工：首期占地312亩，主打高阶FCBGA封装基板。广州黄埔区已集聚集成电路企业超150家，2026年18月半导体产业产值突破310亿元（+36.6%）。

浙江鸿粤半导体器件公司进入破产审查：成立于2024年3月，曾计划年产4000万只IC集成电路、8000万米键合丝线、8500kkLED光源。

七、显示与MicroLED

微玖光电完成数亿元PreA轮融资：由北京市新材料产业投资基金、长江证券创新投联合领投，资金全部投向量产线建设、核心工艺迭代及客户批量交付。

TCL华星MLED项目获12.5亿加码：国开行深圳分行以股权投资方式补充项目资本金，项目总投资约125亿元。TCL华星同时披露光通信三步走战略。

元旭半导体MicroLED光互连芯片突破：联合清华大学、星火辰光研发的样品在500A/cm²电流密度下，-3dB带宽达3.5GHz。天马研究院到访探讨技术合作。

八、第三/四代半导体

格晶半导体氮化镓功率模组西南总部开工：深度依托西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室技术力量，完整布局外延片、芯片、模组全产业链。

晶旭氧化镓滤波器年底试产：总投资16.8亿元，是全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。

全球首款安培级氧化镓MOSFET问世：上海镓驰动力完成第一阶段迭代流片验证，导通电流超1安、击穿电压大于900伏，创下新的技术纪录。

艾科威半导体装备持续关注行业前沿动态，提供深度市场洞察与技术支持。下期再见！

注：本报告基于公开信息整理，不构成投资建议。