反应离子刻蚀机(RIE)的详细介绍

发布时间：

2021/09/15 00:00

首页

单晶硅刻蚀用于形成浅沟槽（STI），电容器的深沟槽。单晶硅刻蚀包括两个工艺过程:突破过程和主刻蚀过程，突破过程使用SiF4和NF气体，通过强离子轰击和氟元素化学作用移除单晶硅表面的氧化层；主刻蚀则一般采用溴化氢（HBr）为主要刻蚀剂，溴化氢在等离子体中分解释放溴元素自由基,这些自由基和硅反应形成具有挥发性的四溴化硅（SiBr4）。单晶硅刻蚀通常采用电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀机。

电介质刻蚀主要用于形成接触孔和通道孔，用以连接不同的电路层级。此外，介质刻蚀覆盖的工艺步骤还有硬式遮蔽层刻蚀和焊接垫刻蚀（部分）。介质刻蚀通常采用电容耦合等离子体刻蚀原理的刻蚀机。

在过去十几年里开发了一系列等离子刻蚀机，基于不同的型号，包括高能CCP等离子刻蚀机和低能ICP等离子刻蚀机，这两种机型都有单台机和双台机，单台机就是水平要求的刻蚀应用，而双台机可以实现占地面积最小和的输出量，来达到的成本，可以覆盖大多数的刻蚀应用，所以是一个非常完整的系列。

除了集成电路制造领域，等离子体刻蚀还被广泛用于LED、MEMS及光通信等领域。.刻蚀机行业发展趋势及竞争格局随着芯片集成度的不断提高，生产工艺越来越复杂，刻蚀在整个生产流程中的比重也呈上升趋势。因此，刻蚀机支出在生产线设备总支出中的比重也在增加。而刻蚀机按刻蚀材料细分后的增长速度。

作为半导体制造过程中三大核心工艺之一，刻蚀可以简单理解为用化学或物理化学方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程，可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀，目前市场主流的刻蚀方法均为干法刻蚀，可将其分为CCP刻蚀和ICP刻蚀。CCP刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而ICP刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。

值得一提的是，在刻蚀环节，国产设备占比高于国外设备，主要得益于、、的放量。其中，中标6台设备，包括电感耦合等离子体刻蚀机、高密度等离子体刻蚀机等；中标10台设备，涉及金属等离子刻蚀机、氮化硅等离子刻蚀机等。

免责声明：内容转发自互联网，本网站不拥有所有权，也不承担相关法律责任。如果您发现本网站有涉嫌抄袭的内容，请转至联系我们进行举报，并提供相关证据，一经查实，本站将立刻删除涉嫌侵权内容。

推荐产品