扩散氧化炉（科研型）的特点有哪些
发布时间：
2021/09/15 00:00
热处理主要包括氧化、扩散和退火工艺。氧化是将硅片放入高温炉中，加入氧气，在晶圆表面形成二氧化硅。扩散是在硅衬底中掺杂特定的掺杂物，从而改变半导体的导电率。退火是一种加热过程，通过加热使晶圆产生特定的物理和化学变化，并在晶圆表面增加或移除少量物质。半导体热处理设备包括快速热处理、氧化/扩散炉和栅栏堆叠设备，热处理炉管设备分为卧式炉、立式炉和快速热处理炉三类。
热处理主要包括氧化、扩散和退火工艺。氧化是将硅片放入高温炉中，加入氧气，在晶圆表面形成二氧化硅。扩散是在硅衬底中掺杂特定的掺杂物，从而改变半导体的导电率。退火是一种加热过程，通过加热使晶圆产生特定的物理和化学变化，并在晶圆表面增加或移除少量物质。半导体热处理设备包括快速热处理、氧化/扩散炉和栅栏堆叠设备，热处理炉管设备分为卧式炉、立式炉和快速热处理炉三类。
热处理主要包括氧化、扩散和退火工艺。氧化是将硅片放入高温炉中，加入氧气，在晶圆表面形成二氧化硅。扩散是在硅衬底中掺杂特定的掺杂物，从而改变半导体的导电率。退火是一种加热过程，通过加热使晶圆产生特定的物理和化学变化，并在晶圆表面增加或移除少量物质。半导体热处理设备包括快速热处理、氧化/扩散炉和栅栏堆叠设备，热处理炉管设备分为卧式炉、立式炉和快速热处理炉三类。
①：属于平台型IC设备商，产品包括刻蚀机、物理气相沉积设备、化学气相淀积设备、氧化炉、扩散炉、清洗机等，几乎涵盖除光刻以外所有的IC制造设备。
退火是一种加热过程，通过加热使晶圆产生特定的物理和化学变化，并在晶圆表面增加或移除少量物质。半导体热处理设备包括快速热处理、氧化/扩散炉和栅栏堆叠设备，热处理炉管设备分为卧式炉、立式炉和快速热处理炉三类。
进行这种氧化的装置称为氧化炉。之所以称为炉，是因为用它将晶圆加热到高温。把晶圆放入石英炉的舟中，每个舟按照50枚或100枚的单位装载晶圆，从石英炉的外侧进行加热。
立式炉管设备：公司研发的立式炉管设备主要由晶圆传输模块，工艺腔体模块，气体分配模块，温度控制模块，尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应⽤和工艺需求进行设计制造，首先集中在炉管LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，逐步进入到炉管ALD设备应⽤。
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