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管式炉系列
产品内容
<br/>          立式炉主要适用于6"、8"、12"晶圆的氧化、合金、退火等工艺。 <br/>         氧化是在中高温下通入特定气体（O2/H2/DCE），在硅片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的一种工艺。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层和栅氧化层等。 <br/>         退火是在中低温条件下，通入惰性气体（N2），消除硅片界面处晶格缺陷和晶格损伤，优化硅片界面质量的一种工艺。
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扩散/氧化炉是半导体生产线重要工艺，扩散是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。可用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、二极管和晶体管等器件。氧化是将硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理，在硅片表面形成氧化膜的过程，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层、表面钝化、器件结构的介质层等。
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LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业。
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管式真空炉是在原有管式炉的基础上，增加真空系统，使客户获得高洁净腔体，提供清洁无杂质的高真空状态，加热温度均匀且能够精确控制，特别适用于半导体器件或其他对环境要求高的材料的退火工艺，工件质量优良，成品率高。
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