设备特点
●工件台：圆周旋转或者扫描运动，刻蚀角度可调，刻蚀均匀性高，兼容刻蚀和抛光功能
●工件台采用水冷，确保晶片低温刻蚀
●可配置等离子体中和枪，确保晶片表面无电荷积累
●可配置法拉第测束装置，确保工艺参数的可重复
●真空系统分子泵/低温泵可选
技术指标
●工件台
适用晶片尺寸：4"～8"，兼容不规则方片
圆周旋转/往复扫描运动
●离子源：考夫曼离子源
离子束能量：0eV～1000eV连续可调
束流 ：最大200mA （圆形）或最大300mA （条形）
●刻蚀均匀性 ：片内±5%，片间±3%
应用范围
用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、NiCr等
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