扩散氧化炉(生产型)


扩散/氧化炉是半导体生产线重要工艺,扩散是在高温条件下,利用热扩散原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中,使其具有特定的浓度分布,达到改变材料的电学特性,形成半导体器件结构的目的。可用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、二极管和晶体管等器件。氧化是将硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理,在硅片表面形成氧化膜的过程,可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层、表面钝化、器件结构的介质层等。

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管式炉系列


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扩散氧化炉(生产型)

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设备特点
●可满足闭管干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化、扩散、退火常压、退火/推进、合金等工艺
●采用高可靠性工控机+PLC模式,对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化;
●具有友好的人机界面,用户可以方便地修改工艺控制参数,并可随时显示各种工艺状态;
●具有多种工艺管路,可供用户方便选择;
●具有强大的软件功能,配有故障自诊断软件,可大大节省维修时间;
●恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度;
●具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能; 
●可根据用户要求定制产品。
 
技术指标
●适用晶片尺寸 :  2~8英寸圆片
●工作温度: 600℃~1300℃; 
●可配工艺管数量:1~4管/台
●恒温区长度及精度:≤±0.5℃/600~800mm (800℃~1300℃),
● 单点温度稳定性:≤±0.5℃℃ /24h (1100℃); 
●温度斜变能力:最大升温速率20℃/min,最大降温速率5℃/min; 
 
应用范围
  半导体集成电路、先进封装、电力电子(IGBT)、微机械(MEMS)、光伏电池(Photovoltaic)制造等领域,适用2~8英寸工艺尺寸扩散、氧化、退火及合金工艺 

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